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CSD75208W1015T是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于NexFET，以及6-UFBGA、DSBGA包装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数量的通道，供应商器件封装为6-DSBGA，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双）公共源，最大功率为750mW，晶体管类型为2 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为410pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.6A，最大Id Vgs的Rds为68 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@4.5V，Pd功耗为0.75 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为5ns，Vgs栅极-源极电压为-6V，Id连续漏极电流为-1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅-源极阈值电压为-0.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为150mOhms 285 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型的导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为1.9nC。
CSD75211W1723是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供晶体管类型功能，如2 P通道，晶体管极性设计用于P通道，以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为12-DSBGA（1.53x1.98），设备采用NexFET？系列，该器件具有4.1 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为40 mOhm@2A，4.5V，Rds On Drain Source电阻为39 mOhm，功率Max为1.5W，Pd功耗为1.5 W，封装为Digi-ReelR，封装外壳为12-UFBGA，DSBGA，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为600pF@10V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg-Vgs为5.9nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为1.6ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为双重。
CSD75208W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP，包括1.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双）公共源极，栅极电荷Qg Vgs设计为在2.5nC@4.5V下工作，以及410pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UFBGA、DSBGA封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为750mW，最大Id Vgs上的Rds为68mOhm@1A，4.5V，系列为NexFET？，供应商器件封装为6-DSBGA，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，Vgs th最大Id为1.1V@250μA。
