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IPG20N04S4-09是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20R04S409ATMA1 IPG20M04S409XT SP000705570的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为54 W，最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为20 a，Vds漏源击穿电压为40 V，漏极-源极电阻Rds为8.6毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
IPG20N04S408ATMA1，带用户指南，包括4V@30μA Vgs th Max Id，设计用于PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如7.6 mOhm@17A，10V，Power Max设计为65W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有2940pF@25V输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
IPG20N04S408AATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于36nC@10V，以及2940pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为65W，最大Id Vgs的Rds为7.6 mOhm@17A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商设备包为PG-TDSON-8-10，Vgs th最大Id为4V@30μA。
