9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON2809，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。AON2809参考价格为170.254美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON2809封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN。您可以下载AON2809英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON2803是MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与6-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-DFN-EP（2x2），以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作1.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供560pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.8A，最大Id Vgs上的Rds为70 mOhm@3.8A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@4.5V。
AON2802是MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-DFN-EP（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于60 mOhm@2A，10V，提供功率最大功能，如2.1W，包装设计用于磁带和卷盘（TR），以及6-WDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供245pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有10nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2A。
带电路图的AON2801L#A，包括3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6.5nC@4.5V下工作，以及700pF@10V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-WDFN暴露式衬垫包装盒，该设备具有包装带和卷盘（TR），最大功率为1.5W，Rds On Max Id Vgs为120 mOhm@3A，4.5V，供应商设备包装为6-DFN（2x2），Vgs th Max Id为1V@250μa。
