9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6928，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6928价格参考1.37美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6928封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN。您可以下载AON6928英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6924是MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于与8-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于8-DFN-EP（5x6），除了2 N沟道（半桥）FET类型之外，该器件还可以用作2W、2.2W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1560pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A、28A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V。
AON6926是MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于11mOhm@20A、10V，提供1.9W、2.1W等功率最大特性。包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及8-PowerVDFN包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1380pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有24nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为11A、12A。
AON6922是MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN，包括18A、31A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于25V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于32nC@10V，除了2340pF@12.5V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-WDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为2W，2.2W，最大Id Vgs的Rds为3.8 mOhm@20A，10V，供应商设备包为8-DFN-EP（5x6），Vgs th Max Id为1.7V@250μA。
