9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2004DWKQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2004DWKQ-7参考价格为0.13122美元。Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7封装/规格：MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363。您可以下载DMN2004DWKQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2004DMK-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26，包括DMN2004系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为225mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为540mA，最大Id Vgs上的Rds为550 mOhm@540mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为225 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为540 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极上源极电阻为550mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN15H310SE-13，带有用户指南，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供0.000282 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为3.5 ns，以及11 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN15，上升时间为7.8ns，Rds漏极-源极电阻为178mOhms，Qg栅极电荷为8.7nC，Pd功耗为1.9W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为2A，下降时间为11ns，配置为单双漏极，通道模式为增强型。
DMN15H310SK3-13，带有电路图，包括卷筒包装，设计用于DMN15H310系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
