9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6974A，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6974A参考价格为1.038美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6974A封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN。您可以下载AON6974A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6973A是MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN，包括SRFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-DFN（5x6）供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（半桥）FET类型。此外，最大功率为3.6W、4.3W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1037pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为22A、30A，Rds On Max Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs th Max Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为22nC@10V。
AON6971是MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-DFN-EP（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于SRFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如5.7 mOhm@20A，10V，Power Max设计为5W，4.1W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8功率WDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有1010pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为23A，40A。
AON6974是MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN，包括22A、30A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型的特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于22.5nC@10V，除了951pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为3.6W、4.3W，最大Id Vgs上的Rds为5.2mOhm@20A、10V，供应商器件封装为8-DFN（5x6），Vgsth最大Id为2.2V@250μA。
