■ Q1:N通道
7.0A,30V RDS(开启)=0.030Ω @ VGS=10伏
RDS(开启)=0.044Ω @ VGS=4.5伏
■ Q2:P通道
-5A,-30V RDS(开启)=0.052Ω @ 电压=-10V
RDS(开)=0.080Ω @ 电压=-4.5伏
■ 快速切换速度
■ 广泛使用的表面安装封装具有高功率和处理能力
一般说明
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通状态压力,同时保持优异的开关性能。
这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中需要低在线功率损耗和快速切换。
(图片:引出线)