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FDS8962C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥4.79480
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.79
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 部件状态 过时的
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 900mW
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 575皮法 @ 15V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A, 5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 7A, 10V

FDS8962C 产品详情

特征
■ Q1:N通道
7.0A,30V RDS(开启)=0.030Ω @ VGS=10伏
RDS(开启)=0.044Ω @ VGS=4.5伏
■ Q2:P通道
-5A,-30V RDS(开启)=0.052Ω @ 电压=-10V
RDS(开)=0.080Ω @ 电压=-4.5伏
■ 快速切换速度
■ 广泛使用的表面安装封装具有高功率和处理能力

一般说明
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通状态压力,同时保持优异的开关性能。
这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中需要低在线功率损耗和快速切换。


(图片:引出线)


FDS8962C所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8962C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8962C价格参考¥4.794800,你可以下载 FDS8962C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8962C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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