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FDC602P是MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDC602P_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001270盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件包为SuperSOT-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P沟道、金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1456pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为5.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为35mOhm@5.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
FDC602C，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDC602C采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
FDC602P-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC602P-NL采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
