9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC6611R-TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EFC6611R-TF参考价格为0.33000美元。onsemi EFC6611R-TF封装/规格：MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP。您可以下载EFC6611R-TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EFC6605R-TR带有引脚细节，包括EFC6605R系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002328盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于6-XFBGA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的6-EFCP（1.9x1.46），配置为双公共漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为1.6W，晶体管类型为2 N-通道，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，栅极电荷Qg Vgs为19.8nC@4.5V，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60800 ns，上升时间为678 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为500mV至1.3V，Rds漏极-源极电阻为13.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44400ns，典型接通延迟时间为154ns，Qg栅极电荷为19.8nC。
EFC6604R-TR带用户指南，包括12 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002328盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及6-EFCP（1.9x1.46）供应商设备包，该设备也可以用作EFC6604R系列。此外，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，该器件的最大功率为1.6W，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装盒为6-XFBGA，其工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Id连续漏极电流为13 a，栅极电荷Qg Vgs为29nC@4.5V，FET类型为2N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，配置为双。
EFC6605R-V-TR是MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA，包括Si技术。
