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PHKD3NQ10T，518是MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供100V漏极到源极电压Vdss，器件具有633pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V。
PHKD6N02是PHILIPS制造的MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1。PHKD6N02采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1。
PHKD6N02LT是NXP制造的MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1。PHKD6N02LT采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1。
