9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6850，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6850参考价格为0.86400美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6850封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN。您可以下载AON6850英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6810是MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为与8-SMD、扁平引线暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN-EP（5.2x5.55）中工作，除了2 N沟道（双）公共漏极FET类型外，该器件还可以用作4.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1720pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为25A，最大Id Vgs的Rds为4.4mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为34nC@10V。
AON6812是MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（5.2x5.55）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于4 mOhm@20A，10V，提供4.1W等最大功率特性，扁平铅暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1720pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有34nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为27A。
AON6816是MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6，包括17A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双）公共漏极，栅极电荷Qg Vgs设计用于45nC@10V，除了1540pF@15V输入电容Ciss Vds外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-PowerSMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.8W，最大Id Vgs的Rds为6.2mOhm@16A，10V，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.2V@250μA。
