9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8363TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8363TRPBF价格参考1.26000美元。Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN。您可以下载IRFHM8363TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM8337TRPBF带有引脚细节，包括IRFHM8339系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供商品名功能，如SmallPowIR，包装盒设计用于PQFN-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为5.4nC，并且正向跨导Min为17S。
IRFHM8342TRPBF是MOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为7.6 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SmallPowIR，该器件采用Si技术，该器件具有IRFHM8342系列，上升时间为30 ns，漏极源极电阻Rds为20 mOhms，Qg栅极电荷为10 nC，Pd功耗为2.6 W，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，正向跨导最小值为19 S，下降时间为5.6 ns，配置为单四漏三源。
IRFHM8363TR2PBF是MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PFN，包括11A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于15nC@10V，除了1165pF@110V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为2.7W，Rds On Max Id Vgs为14.9 mOhm@10A，10V，系列为HEXFET，供应商设备包为8-PQFN（3.3x3.3），功率为33，Vgs最大Id为2.35V@25μA。
