9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRL6372PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL6372PBF价格参考1.756美元。Infineon Technologies IRL6372PBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO。您可以下载IRL6372PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL6342PBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6欧姆11nC，包括管封装，它们设计用于0.019048盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为9.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.5V至1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为11nC，正向跨导最小值为38S，并且信道模式是增强。
IRL6342TRPBF是MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为6 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为12ns，漏极-源极电阻Rds为15mOhms，Qg栅极电荷为11nC，Pd功耗为2.5W，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为9.9 A，正向跨导最小值为38 S，下降时间为14 ns，配置为单一。
IRL630STRRPBF是MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供Id连续漏极电流特性，如9 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为3.1W，Rds漏极-源极电阻为400m欧姆，上升时间为57ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为8ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为10V。
