9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC6602R-TR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EFC6602R-TR参考价格为213.418美元。onsemi EFC6602R-TR封装/规格：MOSFET 2N-CH EFCP。您可以下载EFC6602R-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EFC6601R-TR是MOSFET 2N-CH EFCP，包括EFC6601R系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-XFBGA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供6-EFCP（2.7x1.81）供应商器件包，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，最大功率为2W，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，栅极电荷Qg Vgs为48nC@4.5V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为24V，漏极-源极电阻Rds为11.5毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
EFC6601R-A-TR带有用户指南，包括24 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002413盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计为在6-EFCP（2.7x1.81）以及EFC6601R系列中工作，该器件也可以用作11.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，最大功率为2W，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有6-XFBGA封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Id连续漏电流为13A，栅极电荷Qg Vgs为48nC@4.5V，FET类型为2N通道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动。
EFC6602R-A-TR是MOSFET 2N-CH EFCP，包括逻辑电平门、2.5V驱动FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于55nC@4.5V，提供Id连续漏极电流功能，如18A，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，封装盒为6-XFBGA，器件采用磁带和卷轴（TR）封装，器件最大功率为2W，漏极电阻Rds为5.9毫欧，系列为EFC6602R，供应商器件封装为6-EFCP（2.7x1.81），技术为Si，晶体管极性为N沟道，单位重量为0.002413盎司，Vds漏极-源极击穿电压为12V。
