特色
- Q1 N信道最大值。RDS(开启)=3.8 mΩ,VGS=10 V,ID=20 A最大值。RDS(开启)=4.7 mΩ,VGS=4.5 V,ID=18 A
- Q2 N信道最大值。RDS(开启)=1.2 mΩ,VGS=10 V,ID=41 A最大值。RDS(开启)=1.4 mΩ,VGS=4.5 V,ID=37 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS
应用
- 计算
- 通信
- 通用负载点
起订量: 1
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