9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8662-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8662-TL-H参考价格为0.842美元。onsemi ECH8662-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8。您可以下载ECH8662-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8661-TL-H是MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8，包括ECH8661系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-ECH供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1.5W，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为710pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A、5.5A，最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@3.5A、10V，栅极电荷Qg Vgs为11.8nC@10V，Pd功耗为1.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns 42 ns，上升时间为25纳秒23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为43ns 63ns，典型接通延迟时间为10ns 7.2ns，Qg栅极电荷为11.8nC 13nC，正向跨导最小值为3.7S 5.2S。
ECH8660-TL-H是MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了6.2 ns 7.5 ns中使用的典型开启延迟时间，其提供典型关断延迟时间功能，如17 ns 45 ns，晶体管类型设计为在1 N通道1 P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-ECH，该设备为ECH8660系列，该设备具有11 ns 26 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为59 mOhm@2A，10V，Rds On漏极-源极电阻为110 mOhm 82 mOhm，Qg栅极电荷为4.4 nC 10 nC，功率最大值为1.5W，Pd功耗为1.3 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为240pF@10V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg Vgs为4.4nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，下降时间为7.5 ns 35 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为双四漏极。
ECH8660-S-TL-H带电路图，包括4.5 A 4.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于表面安装安装类型，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供2信道等信道数功能，封装外壳设计用于8-SMD、扁平引线以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作59mOhms 59mOhmsRds漏极-源极电阻。此外，该系列为ECH8660-S-TL-H，该器件在8-ECH供应商器件包中提供，该器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道P沟道，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道、Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
