9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8664R-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8664R-TL-H参考价格为1.028美元。onsemi ECH8664R-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8。您可以下载ECH8664R-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8661-TL-H是MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8，包括ECH8661系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-ECH供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1.5W，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为710pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A、5.5A，最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@3.5A、10V，栅极电荷Qg Vgs为11.8nC@10V，Pd功耗为1.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns 42 ns，上升时间为25纳秒23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为43ns 63ns，典型接通延迟时间为10ns 7.2ns，Qg栅极电荷为11.8nC 13nC，正向跨导最小值为3.7S 5.2S。
ECH8663R-TL-H是MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及8-ECH供应商设备包，该设备也可以用作ECH8663R系列。此外，Rds On Max Id Vgs为20.5 mOhm@4A，4.5V，器件提供20.5 mOhms Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为1.5W，Pd功耗为1.4W，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为8 A，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为8A，配置为双重。
ECH8662-TL-H是MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8，包括6.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于12nC@4.5V，该器件还可以用作1130pF@20V输入电容Cis Vds。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围为150°C（TJ），封装外壳为8-SMD，扁平引线，封装为胶带和卷轴（TR），最大功率为1.5W，漏极电阻为30 mOhm，最大Id Vgs为30 mOhm@3.5A，4.5V，系列为ECH8662，供应商器件封装为8-ECH，技术为Si，晶体管极性为N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为40V。
