9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC4618R-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EFC4618R-TR参考价格为0.828美元。onsemi EFC4618R-TR封装/规格：MOSFET 2N-CH EFCP1818。您可以下载EFC4618R-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如EFC4618R-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
EFC4618R-P-TR是MOSFET 2N-CH EFCP1818，包括EFC4618R系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于4-XBGA、4-FCBGA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的EFCP1313-4CC-037，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重）公共漏极，最大功率为1.6W，晶体管类型为2 N-通道，FET特征为逻辑电平门，2.5V驱动，栅极电荷Qg Vgs为25.4nC@4.5V，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为1770ns，上升时间为815ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为24V，并且Rds导通漏极-源极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为1840ns，典型接通延迟时间为200ns，Qg栅极电荷为25.4nC。
EFC4615R-TR是MOSFET N-CH 24V 6A EFCP，包括24 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002413盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于EFC4615R，以及45 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为WLCSP-4，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有6 a的Id连续漏电流。
EFC4618R，带有SANYO制造的电路图。EFC4618R在EFCP-4P封装中提供，是FET阵列的一部分。
