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SQ3989EV-T1_GE3

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.56302 4.56302
10+ 3.87495 38.74952
100+ 2.89571 289.57110
500+ 2.27514 1137.57000
1000+ 1.75806 1758.06900
3000+ 1.60292 4808.77800
6000+ 1.55121 9307.27200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.56303
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 最大功率 1.67瓦
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.1nC@10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@400毫安,10V

SQ3989EV-T1_GE3 产品详情

N沟道MOSFET,汽车SQ加固系列,Vishay半导体

这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。

SQ坚固系列MOSFET的优点

•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项

批准

AEC-Q101型

SQ3989EV-T1_GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SQ3989EV-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SQ3989EV-T1_GE3价格参考¥4.563027,你可以下载 SQ3989EV-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SQ3989EV-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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