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PHKD13N03LT，118是MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC，包括TrenchMOS？系列，它们被设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起操作，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，最大功率为3.57W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有752pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为10.4A，最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为10.7nC@5V。
PHKD1是由Hammond制造的电气外壳配件。是机箱附件的一部分，并支持电气外壳附件。
PHKD13N03LT，带有NXP制造的电路图。PHKD13N03LT在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
