9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTHD2102PT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTHD2102PT1G参考价格为1.114美元。onsemi NTHD2102PT1G封装/规格：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET。您可以下载NTHD2102PT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTHC5513T1G是MOSFET N/P-CH 20V 1206A，包括NTHC5513系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在8-SMD、扁平引线以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有ChipFET？供应商设备包，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为180pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A、2.2A，最大Id Vgs的Rds为80mOhm@2.9A，4.5V，Vgs的最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns 27 ns，上升时间为9 ns 13 ns，Vgs栅源电压为12 V，并且Id连续漏极电流为3.9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-电源电阻为80m欧姆155m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为10ns 33ns，典型接通延迟时间为5ns 7ns，正向跨导最小值为6S，沟道模式为增强。
NTHC5513T1是MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与CHIPFET一起工作？供应商设备封装，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于80 mOhm@2.9A，4.5V，提供1.1W等最大功率特性。封装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供180pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有4nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.9A，2.2A。
NTHD2102PT1是MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET，包括3.4A电流连续漏极Id 25°C，设计用于8V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于16nC@2.5V，除了715pF@6.4V输入电容Cis Vds，该器件也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.1W，最大Id Vgs上的Rds为58mOhm@3.4A，4.5V，供应商器件封装为ChipFET？，Vgsth最大Id为1.5V@250μA。
