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CSD87312Q3E是MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-VSON（5x6）供应商器件封装，配置为双公共源，FET类型为2 N通道（双）公共源，最大功率为2.5W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1250pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为27A，最大Id Vgs上的Rds为33 mOhm@7A，8V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.2nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.8 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第N栅极-源极端电压为1 V，Rds漏极源极电阻为38 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为7.8ns，Qg栅极电荷为6.3nC，正向跨导Min为39S。
CSD86350Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于10 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于25 V 25 V，提供晶体管类型功能，如2 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-LSON（5x6），设备采用NexFET？系列，该器件具有23 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为6 mOhm@20A，8V，Rds On漏极-源极电阻为5 mOhm 1.1 mOhm，功率最大值为13W，Pd功耗为13 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerLDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为1870pF@12.5V，Id连续漏极电流为40 A 40 A，栅极电荷Qg-Vgs为10.7nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为21ns，漏极到源极电压Vdss为25V，开发套件为CSD86350Q5DEVM-604，电流连续漏极Id 25°C为40A，配置为双重。
CSD86360Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON，包括功率块配置，它们设计用于在25°C的50A电流连续漏极下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于25V，提供4.3 ns等下降时间特性，FET特性设计用于逻辑电平门，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件也可以用作12.6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs。此外，输入电容Cis-Vds为2060pF@12.5，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，通道数为1通道，工作温度范围是-55℃~150℃（TJ），封装盒为8-PowerLDFN，包装为Digi-ReelR交替包装，最大功率为13W，上升时间为20.4ns，系列为NexFET？，供应商设备包为8-LSON（5x6），技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，Vgs最大Id为2.1V@250μA。
CSD86350Q5DEVM-604是CSD86350Q 5D的EVAL模块，包括NexFET？系列，它们设计用于完全填充的板类型，主要用途如数据表注释所示，用于DC/DC降压，提供CSD86350Q等实用IC部件功能，调节器拓扑设计用于降压，以及板提供的内容，该设备还可以用作8 V~13 V电压输入。此外，频率开关为290kHz，设备提供25A电流输出，设备具有1.2V电压输出，输出和类型为1，非隔离。
