9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FW282-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FW282-TL-E参考价格为0.606美元。onsemi FW282-TL-E封装/规格：MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP。您可以下载FW282-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FW276-TL-2H，带有引脚细节，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于0.019048盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），该技术设计用于硅，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用8-SOIC供应商器件包提供，该器件具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.6W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为450V，输入电容Cis-Vds为55pF@220V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为700mA，最大Id Vgs的Rds为12.1 Ohm@350mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@10V，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为700mA，Vds漏极-源极击穿电压为450V，Vgs第栅极-源阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为3.7nC。
FW274-TL-E是MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP，包括2.6V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及8-SOP供应商设备包，该器件也可以用作37 mOhm@6A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，漏极源电阻Rds为37 mOhms，该器件的最大功率为2.2W，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装外壳为8-SOIC（0.173英寸，4.40mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为490pF@10V，Id连续漏极电流为6A，栅极电荷Qg-Vgs为9.1nC@10V；FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6A。
FW261-TL-E，带有SANYO制造的电路图。FW261-TL-E采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
