互补功率MOSFET（同一封装内的n沟道和p沟道功率MOSFET）是英飞凌著名的低压OptiMOS的一部分™ 家庭，在发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和电力消耗（如电动汽车）的高效解决方案方面的市场领导者。
特色
- 互补p-+n沟道
- 增强模式
- 雪崩等级
- 符合AEC Q101要求
- 100%无铅；符合RoHS
应用
- 汽车
- 直流-直流
- 电机控制
- 车载充电器
BSL316CH6327XTSA1
- 描述:场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A、1.5A 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.85274 | 4.85274 |
| 10+ | 4.17191 | 41.71910 |
| 100+ | 3.11227 | 311.22740 |
| 500+ | 2.44563 | 1222.81900 |
| 1000+ | 1.88981 | 1889.81700 |
| 3000+ | 1.85273 | 5558.20200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.20088
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.85
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大功率 500mW
- 场效应管类型 N和P通道互补
- 场效应管特性 逻辑电平门，4.5V驱动
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 282皮法@15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.4A、1.5A
- 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@1.4A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@3.7A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 5V
- 供应商设备包装 PG-TSOP6-6
BSL316CH6327XTSA1 产品详情
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BSL316CH6327XTSA1所属分类：场效应晶体管阵列，BSL316CH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSL316CH6327XTSA1价格参考￥4.200882，你可以下载 BSL316CH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSL316CH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
