9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTHD4401PT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTHD4401PT1G参考价格为0.22000美元。onsemi NTHD4401PT1G封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET。您可以下载NTHD4401PT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTHD4102PT1G是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET，包括NTHD4102P系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在8-SMD、扁平引线以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有ChipFET？供应商设备包，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为750pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@2.9A，4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@4.5V，Pd功耗为600mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12ns，上升时间为12s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-4.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为5.5ns，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
NTHD4102PT3G是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET，包括1.5V@250μ？供应商设备封装，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于80 mOhm@2.9A，4.5V，提供1.1W等最大功率特性。封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及8-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供750pF@16V输入电容Cis-Vds，器件具有8.6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.9A。
NTHD4401PT1是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET，包括2.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6nC@4.5V下工作，除了300pF@10V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.1W，最大Id Vgs上的Rds为155 mOhm@2.1A，4.5V，供应商器件封装为ChipFET？，Vgsth最大Id为1.2V@250μA。
