9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN6040SSD-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6040SSD-13参考价格0.63000美元。Diodes Incorporated DMN6040SSD-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO。您可以下载DMN6040SSD-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6040SFDE-7是MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN，包括DMN60系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为U-DFN2020-6，该设备为MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该设备最大功率为660mW，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1287pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为5.3A（Ta），最大Id Vgs为38 mOhm@4.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22.4nC@10V，Id连续漏极电流为5.3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，漏极-漏极电阻为47mOhm，晶体管极性为N沟道。
DMN6040SK3-13是MOSFET 60V N-CH MOSFET，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及DMN60系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的50毫欧姆Rds。此外，包装为卷筒式，设备采用TO-252-3包装箱，设备具有1个通道数，Id连续漏电流为20 a。
DMN6040SSD，电路图由DIODES制造。DMN6040SSD在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
