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NTHD5902T1是MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-SMD扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在CHIPFET？中工作？，除了2 N沟道（双）FET类型，该器件还可以用作1.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供逻辑电平门FET功能，该器件具有2.9A电流连续漏极Id 25°C，Rds最大Id Vgs为85mOhm@2.9A，10V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@10V。
NTHD5903带有ON公司制造的用户指南。NTHD5902提供1206-8封装，是FET阵列的一部分。
NTHD5903T1，带有ON制造的电路图。NTHD5903T1可提供1206-8封装，是FET阵列的一部分。
