9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN5L06DWK-7-01，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN5L06DWK-7-01参考价格为0.15246美元。Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7-01封装/规格：MOSFET BVDSS:41V-60V SOT363。您可以下载DMN5L06DWK-7-01英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN5L06DMK-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26，包括DMN5L06系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装外壳功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为400mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为305mA，最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@50mA@5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为400 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为305 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极上源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
带有用户指南的DMN5L06DMKQ-7，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-26以及DMN5L06系列，该设备也可用于2 Ohm@50mA，最大Id Vgs上的5V Rds。此外，最大功率为400mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有SOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为50V，25°C的电流连续漏极Id为305mA。
DMN5L06DW-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363，包括280mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于50V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），输入电容Cis-Vds设计用于50pF@25V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，该设备采用Digi-ReelR包装，该设备最大功率为200mW，Rds On Max Id Vgs为3 Ohm@200mA，2.7V，供应商设备包装为SOT-363，Vgs th Max Id为1.2V@250μa。
DMN5L06-7是由DIODES制造的MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3。DMN5L06-7以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3、N沟道50V 280MA（Ta）350mW（Ta）表面安装SOT-23-2、Trans MOSFET N-CH50V 0.28A 3引脚SOT-23 T/R。
