n沟道p沟道
VDS(V)=30V-30V
ID=3.4A(VGS=10V)-2.3A(VGS=-10V)
RDS(打开)
小于60米Ω (VGS=10V)<135mΩ (VGS=-10V)
小于75mΩ (VGS=4.5V)<185mΩ (VGS=-4.5V)
<115米Ω(VGS=2.5V)<265米Ω (VGS=-2.5伏)
一般说明
AO6601L采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
互补的MOSFET形成高速功率逆变器,适用于多种应用。
标准产品AO6601L不含铅(符合ROHS和Sony 259规范)。
AO6601L是绿色产品订购选项。
AO6601L和AO6601LL在电气上相同。
(图片:引线/示意图)