特色
- -25 V，-0.46 A连续，-1.0 A峰值
- RDS（开）=1.5Ω@VGS=-2.7 V
- RDS（开）=1.1Ω@VGS=-4.5 V
- 极低水平的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接操作。VGS（th）<1.5 V
- 栅极-源极齐纳，用于ESD加固。>6kV人体模型
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDC6304P
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 460毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.96863
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.97
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 部件状态 过时的
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大功率 700mW
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 SuperSOT-6.
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 62皮法 @ 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 460毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.1欧姆@500毫安，4.5伏
FDC6304P 产品详情
这些P沟道增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被定制为在低栅极驱动条件下最小化导通电阻。该设备特别设计用于电池供电应用，例如笔记本电脑和蜂窝电话。该器件即使在低至2.5伏的栅极驱动电压下也具有优异的导通电阻。
FDC6304P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDC658P_NB4E011 | 安盛美 (onsemi) | IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT | ¥0.32968 |
| FDCD-37PF-610A100 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥53.36569 |
 | FDC021N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| FDC37C653QFP | FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥38.31494 | |
| FDC37M813QFP | PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER | ¥16.87596 | |
| FDC37C65BLJP | 2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥43.52983 | |
| FDC37B777QFP | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER | ¥35.99721 | |
 | FDC92C39BTP | ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE | ¥84.81436 | |
 | FDC37C669FRQFP | SUPER I/O WITH LPC INTERFACE | ¥35.99721 | |
 | FDC6332L | 安盛美 (onsemi) | 开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6. | ¥21.00441 |
FDC6304P所属分类：场效应晶体管阵列，FDC6304P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC6304P价格参考￥4.968629，你可以下载 FDC6304P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC6304P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
