9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8651R-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8651R-TL-H参考价格为0.29000美元。onsemi ECH8651R-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8。您可以下载ECH8651R-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8651R-R-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8，包括ECH8651L系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为8-ECH，该设备为2 N沟道晶体管类型，该设备具有1.4 W的Pd功耗，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为24 V，Rds漏极源极电阻为14 mΩ，晶体管极性为N沟道。
ECH8649-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8，包括8-ECH供应商器件封装，它们设计为在17mOhm@4A、4.5V Rds On Max Id Vgs的情况下工作，数据表中显示了用于1.5W的最大功率，该封装具有磁带和卷轴（TR）等封装功能，封装外壳设计为在8-SMD、扁平导线中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为1060pF@10V，该器件提供10.8nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7.5A。
ECH8649-S-TL-H，电路图由SANYO制造。ECH8649-S-TL-H采用ech8封装，是IC芯片的一部分。
