9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS8926A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS8926A参考价格为1.098美元。onsemi FDS8926A封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO。您可以下载FDS8926A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS89161LZ是MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1.6W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为302pF@50V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.7A，最大Id Vgs上的Rds为105 mOhm@2.7A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5.3nC@10V，Pd功耗为31W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为2.7A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅-源极阈值电压为1.7V，Rds漏极-源极电阻为105mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为5.3nC，正向跨导Min为7.8S。
FDS89161是MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如100 V，单位重量设计用于0.006596盎司，以及2 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件以8-SO供应商器件封装形式提供，该器件具有PowerTrenchR系列，Rds On Max Id Vgs为105 mOhm@2.7A，10V，Rds On漏极-源极电阻为105 mOhm，Qg栅极电荷为1.7 nC，最大功率为1.6W，Pd功耗为3.1 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为210pF@50V，Id连续漏极电流为2.7 A，栅极电荷Qg Vgs为4.1nC@10V，正向跨导最小值为5 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为2.7A，配置为双。
FDS89161L，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS89161L在sop8封装中提供，是FET阵列的一部分。
