特色
- 2.5Ｖ-驱动器类型
- Nch+Pch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
US6M2TR
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A，1A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.14245 | 5.14245 |
| 10+ | 4.41816 | 44.18169 |
| 100+ | 3.30131 | 330.13140 |
| 500+ | 2.59411 | 1297.05850 |
| 1000+ | 2.00454 | 2004.54500 |
| 3000+ | 1.82767 | 5483.01900 |
| 6000+ | 1.70975 | 10258.55400 |
- 库存: 60
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.14
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管类型 N和P通道
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 最大功率 1W
- 漏源电压标 (Vdss) 30V, 20V
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
- 供应商设备包装 TUMT6
- 导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@1.5A，4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 80皮法 @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A，1A
US6M2TR 产品详情
复杂型MOSFET（P+N）通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
US6M2TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | US6-5MM-5MM-F | 5 MMX5 MM STEEL U JOINT | ¥1,135.17972 | |
 | US600-01 | 德雷梅尔 (Dremel) | US600-01 WOOD FLUSH CUT WHEEL | ¥144.78557 |
 | US624202 | RESIN OUTDOOR PEDESTAL TABLE BAS | ¥0.00 | |
| US624237 | RESIN OUTDOOR PEDESTAL TABLE BAS | ¥0.00 | |
| US624278 | RESIN OUTDOOR PEDESTAL TABLE BAS | ¥0.00 | |
| US623204 | RESIN OUTDOOR PEDESTAL TABLE BAS | ¥0.00 | |
| US607066 | 70 LB. FREESTANDING UMBRELLA BAS | ¥0.00 | |
| US607004 | 70 LB. FREESTANDING UMBRELLA BAS | ¥0.00 | |
| US631801 | MOUNTING PLATE 14"W X 14"D | ¥0.00 | |
| US624201 | MOUNTING PLATE 20"W X 20"D | ¥0.00 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
