9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2025UFDB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2025UFDB-7参考价格为0.15918美元。Diodes Incorporated DMN2025UFDB-7封装/规格：MOSFET BVDSS：8V-24V U-DFN2020-6。您可以下载DMN2025UFDB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2019UTS-13是MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8，包括DMN2019系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.005573盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道）公共漏极，最大功率为780mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为143pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为5.4A，最大Id Vgs上的Rds为18.5mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8.8nC@4.5V，Pd功耗为780mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为234ns，上升时间为78ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源极端电压为0.95 V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为562ns，典型接通延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为8.8nC，沟道模式为增强。
DMN2016UTS-13是MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.005573 oz，典型开启延迟时间设计为10.39 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的8-TSSOP，系列为DMN2016，上升时间为11.66 ns，Rds On Max Id Vgs为14.5 mOhm@9.4A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为16.5 mOhm，功率最大值为880mW，Pd功耗为880 mW，包装是Digi-ReelR替代包装，包装箱为8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1495pF@10V，Id连续漏极电流为8.58 A，栅极电荷Qg Vgs为16.5nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，下降时间为16.27ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为8.58A，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMN2016LHAB-7是MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN，包括双配置，它们设计为在7.5A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于20V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 N通道（双）公共漏极工作，以及16nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，该器件也可以用作7.5A Id连续漏极电流。此外，输入电容Ciss Vds为1550pF@10V，该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），封装外壳为6-UDFN暴露焊盘，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为1.2W，Rds漏极-源极电阻为30 mOhms，Rds On Max Id Vgs为15.5mOhm@4A，4.5V，系列为DMN2016，供应商设备包为U-DFN2030-6，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs th Max Id为1.1V@250μA。
