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NTTFD2D8N03P1E
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NTTFD2D8N03P1E

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.1A(Ta)、80A(Tc) 供应商设备包装: 12-WQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 9.21224 27636.73500
  • 库存: 21000
  • 单价: ¥9.21225
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥27,636.74
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16.1A(Ta)、80A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@18A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 400A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15V时1500皮法,15V时1521皮法
  • 最大功率 1.04W(Ta)、26W(Ta)
  • 包装/外壳 12功率WQFN
  • 供应商设备包装 12-WQFN(3.3x3.3)

NTTFD2D8N03P1E 产品详情

NTTFD2D8N03P1E所属分类:场效应晶体管阵列,NTTFD2D8N03P1E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTTFD2D8N03P1E价格参考¥9.212245,你可以下载 NTTFD2D8N03P1E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTTFD2D8N03P1E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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