9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3055LFDB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3055LFDB-7参考价格为0.16027美元。Diodes Incorporated DMN3055LFDB-7封装/规格：MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6。您可以下载DMN3055LFDB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3055AG是TRANS NPN 60V 15A TO-3，包括2N3055A系列，它们设计用于托盘包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-204AA、TO-3等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及TO-3供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，功率最大值为115W，该器件采用NPN晶体管类型，该器件具有15A的电流收集器Ic Max，电压收集器发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为10@4A、2V，Vce饱和最大值Ib Ic为5V@7A、15A，电流收集器截止最大值为700μa，频率转换为6MHz，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1.1 V，集电极基极电压VCBO为200 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为15A，增益带宽乘积fT为6MHz，并且连续集电极电流是15A，并且DC集电极基本增益hfe Min为10。
2N3055G是TRANS NPN 60V 15A TO3，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3V@3.3A、10A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性特性，如NPN，供应商设备包设计为在to-3以及2N3055系列中工作，该设备也可以用作115W最大功率。此外，Pd功耗为115000 mW，该设备采用托盘包装，该设备具有TO-204AA、TO-3封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为15 A，增益带宽积fT为2.5 MHz，频率转换为2.5MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为20@4A，4V，直流集电极基极增益hFE Min为20，集电极Ic Max为15A，集电极截止最大值为700μA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-基极电压VCBO为100V。
2N3055H是东芝制造的TRANS NPN 60V 15A TO-3。2N3055H在TO-204AA、TO-3封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPN 60V 15A TO-3、双极（双极）晶体管NPN 60N 15A 2.5MHz 115W通孔TO-3、TRANS GP BJT NPN 60W 15A 115000mW 3引脚（2+Tab）TO-3托盘。
2N3055-JQR-B是由TT Elec.制造的NPN硅晶体管。2N3055-JR-B以TO-3封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持NPN硅变压器。
