9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI9933CDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI9933CDY-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC。您可以下载SI9933CDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI9933CDY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI9933CDY-E3的零件别名，该SI9933CDY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为3.1W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为665pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs的Rds为58mOhm@4.8A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-50 C，下降时间为13 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为58 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是29ns，并且典型接通延迟时间是21ns，并且沟道模式是增强。
SI9933CDY，带有VISHAY制造的用户指南。SI9933CDY在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI9933CDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI9933CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
