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CSD87501LT是MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装盒设计用于10-XFBGA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有10微微星（3.37x1.47）的供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N信道（双）公共漏极，最大功率为2.5W，晶体管类型为2 N-信道，FET特性为逻辑电平门，Vgs最大Id为2.3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为712 ns，上升时间为260 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为72 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds导通漏极-源极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为709ns，典型接通延迟时间为164ns，Qg栅极电荷为15nC。
CSD87384MT是MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB，包括1.9V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于NexFET商标，技术如数据表说明所示，用于Si，提供供应商设备包功能，如5-PTAB（5x3.5），系列设计用于NexFET？，以及56 ns 49 ns上升时间，该器件也可以用作7.7 mOhm@25A，8V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为8W，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有5-LGA封装盒，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1150pF@15V，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为7.6 ns 8.2 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为30A，配置为PowerBlock。
CSD87501L是MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR，包括逻辑电平栅极FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于40nC@10V，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，以及2沟道数量的信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为10-XFBGA，设备采用Digi-ReelR替代包装包装，设备最大功率为2.5W，系列为NexFET？，供应商设备包为10 Picostar（3.37x1.47），技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道。Vgs th最大Id为2.3V@250μA。
