9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC4630R-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EFC4630R-TR参考价格为0.18000美元。onsemi EFC4630R-TR封装/规格：集成电路。您可以下载EFC4630R-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EFC4621R-TR是MOSFET 2N-CH EFCP，包括EFC4621R系列，它们设计用于带卷（TR）封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于4-XFBGA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的4-EFCP（1.61x1.61），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.6W，晶体管类型为2 N-通道，FET特征为逻辑电平门，2.5V驱动，栅极电荷Qg Vgs为29nC@4.5V，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为28000 ns，上升时间为600 ns，Vgs栅极-源极电压为12.5 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为24 V，Rds漏极源极电阻为18 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是26000ns，并且典型接通延迟时间是340ns，并且Qg栅极电荷是29nC。
EFC4626R-TR带有用户指南，包括2个N沟道晶体管类型，它们设计为使用N沟道三极管极性工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供功率最大功能，如1.4W。包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及4-XFBGA封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，信道数为2信道，该器件为表面安装安装型，该器件具有7.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N信道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动。
带有电路图的EFC4627R-TR，包括逻辑电平门、2.5V驱动FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于13.4nC@4.5V，工作温度范围为150°C（TJ），封装盒设计用于4-XFBGA、FCBGA以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可作为1.4W最大功率使用。此外，供应商设备包为4-EFCP（1.01x1.01），该设备采用Si技术提供。
EFC4627R-A-TR带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷轴封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供晶体管类型功能，如2 N通道，通道数设计为在2通道中工作。
