9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2024UVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2024UVT-7参考价格为0.16146美元。Diodes Incorporated DMN2024UVT-7封装/规格：MOSFET BVDSS：8V-24V TSOT26。您可以下载DMN2024UVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2023UCB4-7，带有引脚细节，包括DMN2023系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如4-XFBGA，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X1-WLB1818-4供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET类型，最大功率为1.45W，晶体管类型为1 N信道，FET特性为逻辑电平门，栅极电荷Qg Vgs为29nC@4.5V，Pd功耗为1.45W。其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为29纳秒，上升时间为20纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为24 V，Vgs第栅-源极阈值电压为1.3 V，Rds漏极源极电阻为27毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为29nC，信道模式为增强。
带有用户指南的DMN2022UNS-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与Si技术一起工作。数据表说明中显示了用于PowerDI3333-8的供应商设备包，该产品提供了DMN2022、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在10.8 mOhm@4A、4.5V以及1.2W最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件为表面安装型，输入电容Ciss Vds为1870pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为20.3nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为10.7A（Ta）。
带有电路图的DMN2022UNS-7，包括卷筒包装，设计用于DMN2022系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMN2023LSD-13，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN2023LSD-13采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
