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FDS8984

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.07003 5.07003
10+ 4.47611 44.76112
100+ 3.43241 343.24100
500+ 2.71362 1356.81250
1000+ 2.17091 2170.91400
2500+ 2.15852 5396.32250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.07
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
  • 最大功率 1.6瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A
  • 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@7A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 635皮法 @ 15V

FDS8984 产品详情

汽车双N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor通过全面掌握质量、安全和可靠性标准,提供解决汽车市场复杂挑战的解决方案。

特色

  • 最大rDS(开)=23mΩ,VGS=10V,ID=7A
  • 最大rDS(开)=30mΩ,VGS=4.5V,ID=6A
  • 低栅极电荷
  • 100%RG测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDS8984所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8984 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8984价格参考¥5.070030,你可以下载 FDS8984中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8984规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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