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CSD86356Q5D

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 10.26681 25667.02750
  • 库存: 10000
  • 单价: ¥10.26681
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25,667.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 场效应管特性 逻辑电平门,5V驱动
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 20A, 5V, 0.8毫欧姆 @ 20A, 5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.85V@250A、 1.5V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
  • 最大功率 12W(Ta)
  • 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)

CSD86356Q5D 产品详情

德州仪器CSD86356Q5DT同步降压NexFET™ 功率块在小封装中提供高电流、高效率和高频能力。CSD86356Q5DT是针对同步降压和5V栅极驱动应用的优化设计。该设备在25A时提供93%的系统效率。CSD86356Q5DT提供了一种灵活的解决方案,当与来自外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动器配对时,该解决方案能够提供高密度电源。

特色

  • 半桥电源块
  • 25 A时系统效率为93.0%
  • 高达40-A操作
  • 高频操作(最高1.5 MHz)
  • 高密度SON 5-mm×6-mm占地面积
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀


CSD86356Q5D所属分类:场效应晶体管阵列,CSD86356Q5D 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD86356Q5D价格参考¥10.266811,你可以下载 CSD86356Q5D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD86356Q5D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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