9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SP8M21FRATB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SP8M21FRATB价格参考1.44000美元。Rohm Semiconductor SP8M21FRATB封装/规格：MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP。您可以下载SP8M21FRATB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SP8M10TB是MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。供应商器件封装设计用于8-SOP以及N和P沟道FET类型，该器件也可用于2W功率最大。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供600pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为7A，4.5A，最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@7A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@5V。
SP8M10FU6TB是MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于24 mOhm@7A，10V，提供2W等功率最大功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，器件提供600pF@10V输入电容Ciss Vds，器件具有11.8nC@5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为7A，4.5A。
SP8M2，电路图由ROHM制造。SP8M2采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SP8M2 FT1TB，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。SP8M2 FT1TB在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
