9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSL306NL6327HTSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BSL306NL6327HTSA1参考价格为0.942美元。Infineon Technologies BSL306NL6327HTSA1封装/规格:MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP。您可以下载BSL306NL6327HTSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSL306NH6327XTSA1,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS?系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,数据表注释中显示了BSL306N H6327 SP001100664中使用的零件别名,该产品提供了SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于SC-74、SOT-457以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商设备包的PG-TSOP6-6,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),最大功率为500mW,晶体管类型为1 P通道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为275pF@15V,FET特性为逻辑电平门,4.5V驱动,电流连续漏极Id 25°C为2.3A,最大Id Vgs上的Rds为57 mOhm@2.3A,10V,Vgs最大Id为2V@11μA,栅极电荷Qg Vgs为1.6nC@5V,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为1.4 ns 1.4 ns,上升时间为2.3 ns 2.3 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V 20 V,Id连续漏极电流为2.3 A 2.3 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V 30 V,Vgs第栅-源极阈值电压为1.2 V,漏极-漏极电阻为57 m欧姆57 m欧姆,晶体管极性为P沟道,并且典型的关断延迟时间是8.3ns 8.3ns,并且典型的接通延迟时间是4.4ns 4.4ns,并且Qg栅极电荷是1.6nC 1.6nC,并且信道模式是增强。
BSL306N L6327,带有INFINEON制造的用户指南。BSL306N L6327在TSOP-6封装中提供,是FET阵列的一部分。
BSL306NL6327,电路图由SON/INFINEON制造。BSL306NL6327在TSOP-6封装中提供,是FET阵列的一部分。