9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6932，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6932参考价格为0.92美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6932封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN。您可以下载AON6932英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6926是MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN，包括Digi-ReelR交替封装封装，它们设计为使用8功率VDFN封装盒工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）以及2 N沟道（半桥）FET类型中工作，该器件还可以用作1.9W、2.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1380pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为11A、12A，最大Id Vgs为11mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V。
AON6928是MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于8.2 mOhm@20A，10V，提供3.6W，4.3W等最大功率特性，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1150pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有24nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为17A，30A。
AON6930，电路图由ALPHA制造。AON6930采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
