一般说明
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild Semiconductor先进的power Trench工艺生产的，该工艺特别定制，以最小化导通电阻，同时保持优异的开关性能。
这些设备非常适合低压和电池供电的应用，其中需要低在线功率损耗和快速切换。
特征
Q1：N通道
■Ves=10V，lD=6.4A时，最大ros（on）=26 m2
■Ves=4.5V，lp=5.2A时，最大ros（on）=39 m2
Q2:P通道
■最大ros（on）=51m2，Ves=-10V，lo=-4.5A
■Ves=-4.5V，lp=-3.3A时，最大Tos（on）=80 m2
■HBM ESD保护等级>3.5 kV（注3）
■符合RoHS
应用
■DC-DC转换
■BLU和电机驱动逆变器
特色
- Q1 N信道最大值。RDS（开启）=26 mΩ，VGS=10 V，ID=6.4 A最大值。RDS（开启）=39 mΩ，VGS=4.5 V，ID=5.2 A
- Q2 P信道最大值。RDS（开启）=51 mΩ，VGS=-10 V，ID=-4.5 A最大值。RDS（开启）=80 mΩ，VGS=-4.5 V，ID=-3.3 A
- HBM ESD保护等级>3.5 kV
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC-DC转换
- BLU和电机驱动逆变器
（图片：引出线）
