9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TT8M2TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TT8M2TR参考价格为26.34美元。Rohm Semiconductor TT8M2TR封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8。您可以下载TT8M2TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TT8K2TR是MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8，包括TT8K2系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在8-TSST供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET型，最大功率为1.25W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为180pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，Rds最大Id Vgs为90mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@4.5V，Pd功耗为1.25W，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds漏极源极电阻为90mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为3.2nC。
TT8K1TR是MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8，包括1V@1mA Vgs和最大Id，它们设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于8-TSST的供应商设备包，提供TT8K1、Rds on Max Id等系列功能。Vgs设计用于72mOhm@2.5A、4.5V以及1W功率最大，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，其工作温度范围为150°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为260pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为3.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2.5A。
TT8M1TR是MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门、1.5V驱动器的FET特性，提供了N和P沟道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在3.6nC@4.5V下工作，除了260pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为1W，Rds On Max Id Vgs为72mOhm@2.5A，4.5V，系列为TT8M1，供应商设备包为8-TSST，技术为Si，Vgs th Max Id为1V@1mA。
