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FDS4559

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.66346 6.66346
10+ 5.85950 58.59506
100+ 4.49277 449.27710
500+ 3.55177 1775.88650
1000+ 2.84139 2841.39000
2500+ 2.82531 7063.27500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.66347
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功率 1W
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650皮法 @ 25V
  • 导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 4.5A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A, 3.5A

FDS4559 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • Q1 N通道4.5A,60V最大值。在VGS=10 V时,RDS(开启)=55 mΩ,在VGS=4.5 V时,最大RDS(打开)=75 mΩ
  • Q2 P通道-3.5A,-60V最大值。在VGS=-10 V时,RDS(开启)=105 mΩ,在VGS=-4.5 V时,最大RDS(打开)=135 mΩ

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
  • 电源管理
  • LCD背光逆变器
FDS4559所属分类:场效应晶体管阵列,FDS4559 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS4559价格参考¥6.663468,你可以下载 FDS4559中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS4559规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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