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BLF8G24LS-200P、112是NXP制造的晶体管RF POWER 200W LDMOST。BLF8G24LS-200P,112以SOT539B封装形式提供,是RF FET的一部分,支持TRANSISTOR RF POWER 200W LDMOST、RF Mosfet LDMOS(双)、公共源28V 1.74A 2.3GHz~2.4GHz 17.2dB 60W SOT539A、Trans RF Mosfet N-CH 68V 37A 5引脚SOT-539B Bulk。
BLF8G27LS-100P,带有NXP制造的用户指南。BLF8G27LS-100P采用SMD封装,是RF FET的一部分。
BLF8G27LS-100V,带有NXP制造的电路图。BLF8G27LS-100V采用SOT-1244B封装,是RF FET的一部分。
BLF8G27LS-100V,112带EDA/CAD型号BLF8G27 LS-100V、112采用SOT-1244B封装,是RF FET的一部分,支持TRANS 100W LDMOS CDFM6 SOT1244B、TRANS RF MOSFET N-CH 65V 7引脚CDFM Bulk。