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1SR159-200TE25是DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于DO-214AC、SMA封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如PMDS,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),以及标准二极管类型,该器件还可以用作10μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为980mV@1A,该设备提供200V电压DC反向Vr Max,该设备具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为50ns,其工作温度结范围为150°C(最大值)。
1SR159-200是ROHM制造的DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS。1SR159-200采用DO-214AC SMA封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持二极管GEN PURP 200V 1A PMDS。
1SR159-200 TE25是ROHM制造的DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS。1SR159-200 TE25采用DO-214AC SMA封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持二极管GEN PURP 200V 1A PMDS。
1SR159-400TE25,带有ROHM制造的EDA/CAD模型。1SR159-400TE25采用SMA封装,是IC芯片的一部分。